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台湾领泰LT2P06SJ P通道增强模式功率MOSFET

台湾领泰LT2P06SJ P通道增强模式功率MOSFET

台湾领泰LT2P06SJP通道增强模式功率MOSFET?电池充电?电源管理?DC-DC转换?负荷开关

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    广东 深圳 宝安区 西乡街道西乡大道与铁仔南路交汇处盛辉大厦A区702
品牌:台湾领泰型号:LT2P06SJ封装:SOT23-3
批号:1应用领域:***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源

台湾领泰LT2P06SJ P通道增强模式功率MOSFET详细介绍

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 飦 Absolute Maximum Ratings @TA=25鈩 unless otherwise noted Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Voltage VDSS -60 V Gate-Source Voltage VGSS 卤20 V Drain Current (Continuous) *AC TA=25掳C ID -2.1 A TA=85掳C -1.5 Drain Current (Pulse) *B IDM -9 A Power Dissipation TA=25掳C PD 1.34 W Operating Temperature/ Storage Temperature TJ/TSTG -55~150 鈩 飦 Thermal Resistance Ratings Parameter Symbol Maximum Unit Maximum Junction-to-Ambient t 鈮 10s RthJA 93 掳C/W 飦 Features VDS = -60V, I D = -2.1A RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 156m惟 RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 205m惟 飦 General Description 鈥 Battery Charging 鈥 Power Management 鈥 DC-DC Convert 鈥 Load Switch

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