描述  

这些n通道增强模式的功率场  

效应晶体管使用沟槽DMOS  

技术。 这种***的技术已经得到了应用  

特别定制的最小通态电阻，  

提供优越的切换性能，并与  

站在高能脉冲的雪崩和  

变换模式。 这些设备非常适合  

用于高效率、快速切换应用。  

特性  

?60 v, 60, RDS(上)。 max = 11 mΩ@VGS = 1 0 v  

?提高了dv/dt的能力  

?快速交换  

?*** EAS***  

?绿色设备可用  

应用程序  

?马达驱动器  

?UPS  

?直流-直流转换器  

Description
These N-Channel enhancement mode power field
effect transistors are using trench DMOS
technology.  This advanced technology has been
especially tailored to minimize on-state resistance,
provide superior switching performance, and with
stand high energy pulse in the avalanche and
commutation mode.  These devices are well suited
for high efficiency fast switching applications.
Features
? 60V,60A,RDS(ON). max=11 mΩ@VGS=1 0V
? Improved dv/dt capability
? Fast switching
? 1 00% EAS Guaranteed
? Green device available
Applications
? Motor Drives
? UPS
? DC-DC Converter