描述
功率MOSFET的制备是利用
***的平面VDMOS技术。 的
由此产生的器件导电电阻低，
优越的开关性能和高雪崩
能量。
特性
?低RDS(上)
?低闸门费用(典型。 Qg = 1 4.5 nC)
?***的ui测试
?通过无铅认证
应用程序
?功率因数校正。
?开关电源。
?领导的司机
Description
The Power MOSFET is fabricated using the
advanced planar VDMOS technology. The
resulting device has low conduction resistance,
superior switching performance and high avalanche
energy.
Features
? Low RDS(on)
? Low gate charge (typ. Qg = 1 4.5 nC)
? 1 00% UIS tested
? RoHS compliant
Applications
? Power factor correction.
? Switched mode power supplies.
? LED driver
